编程模拟电路基础
-
19世纪前段 欧姆定律 $I = \frac{V}{R}$
-
1841 焦耳第一定律 $P= I^2R$, $Q=I^2Rt$
-
爱迪生效应 -> 弗莱明发明二极管(整流) -> 李·德·佛瑞斯特改进出三极管(信号放大)
-
P型半导体: 在+4价的硅中掺入更低价的元素(B), 使空穴增多
-
N型半导体: 在+4价的硅中掺入更高价的元素(P), 使自由电子增多
-
PN结
- 重要特性是单向导电, 正向导通, 负向截止
- 正向电压达到某个值, 外部电源的电场强度大于内电场, 内电场被克服, 电路导通
- 当反向电压超过某个值, 电流急剧增大, 此时 PN结被击穿
- 扩散运动: PN结 N区 自由电子向 P区扩散
- 漂移运动: PN结 PN交界处, (因扩散)P区形成负离子区, N区形成正离子区, 两者形成空间电荷区. 漂移运动方向与扩散运动相反
- 重要特性是单向导电, 正向导通, 负向截止
三极管原理(NPN)
- 2号 > 0.7V 就会和 1号导通
- 2号消化不了从1号大量涌入的电子, 电子反向扩散到3号
- 2号电流微小的变化引起3号电流较大的变化(放大)
场效应管: MOS管
- 栅极处形成等效电容
- 栅极通正电时, P型半导体反型层部分的电子逐渐多于漏极, 于是导通
- 栅极的正负控制电路的通阻
参考: